SK하이닉스, 용인 클러스터 1기 팹 첫 삽…'AI 반도체 거점' 속도 올린다

120조 규모…6년 만에 첫 삽 떴다
1기 팹 2027년 준공 목표…4기 팹 순차적 조성 예정

[마이데일리 = 황효원 기자] SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 첫 번째 반도체 생산공장(팹) 첫 삽을 떴다.

SK하이닉스는 24일 경기도 용인시 처인구 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 짓는 첨단 반도체 제조 팹(공장) 4기 중 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다.

1기 팹은 당초 다음 달부터 착공이 진행될 예정이었지만 용인시의 인허가 절차가 예정보다 빠르게 마무리됐고 21일 건축 허가가 떨어져 착공 시점을 앞당기게 됐다.

SK하이닉스는 지난해 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 클러스터의 1기 팹과 업무시설 건설에 약 9조4000억원을 투자하기로 했다. SK하이닉스는 최근에는 1기 팹 착공에 맞춰 시공·사업관리·안전관리 등 인프라 구축을 담당할 경력사원 채용에 나서기도 했다.

SK하이닉스는 2027년 5월 준공 예정인 1기 팹을 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 만들겠다는 계획이다. SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 2050년까지 순차적으로 조성한다는 계획이다. 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공한다는 목표다.

앞서 최태원 SK그룹 회장은 2023년 9월 부지 조성 작업 중인 용인 클러스터 현장을 방문해 "용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"라며 기대감을 드러낸 바 있다. 최 회장은 "지금까지 해오던 대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다"고 강조했다. SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

황효원 기자 woniii@mydaily.co.kr
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