SK하이닉스, 세계 첫 1c나노 D램 개발…비결은 '원 팀' 정신이었다

10나노급 6세대 D램 개발 주역 좌담회
성공 비결은 유기적 협업·원팀 정신
DDR5 외 다른 D램에도 적용 예정

[마이데일리 = 황효원 기자] 세계 최초로 10나노 6세대(1c) 기술 개발에 성공한 SK하이닉스는 신기술에 적용됐던 공정을 DDR5 D램은 물론 HBM(고대역폭 메모리)에도 확대 적용한다.

SK하이닉스는 1c 기술 개발 과정과 함께 회사의 혁신 기술 역량과 D램 기술 로드맵을 조명하는 좌담회를 진행했다고 10일 밝혔다.

앞서 SK하이닉스는 지난달 세계 최초로 1c 미세공정을 적용한 16GB(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다.

이날 좌담회엔 1c 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다.

1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하고, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화해 원가 절감까지 이뤄냈다.

SK하이닉스가 D램 시장에서 독보적인 기술 리더십을 발휘할 수 있었던 저력으로는 좌담회 참가자 모두 '유기적인 협업'과 '원팀(One Team)' 정신을 꼽았다.

오태경 부사장은 "가장 큰 목표는 '1등 개발'로 우리는 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했다"면서 "덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었다"고 밝혔다.

손수용 개발테스트 담당 부사장은 "1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했지만 1c DDR5는 시작일 뿐"이라며 "앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용돼 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것"이라고 말했다.

정창교 부사장은 "1c 기술 개발 과정에서 가장 중요한 요소는 원팀 문화로 '최초'라는 타이틀에 따라오는 많은 기술적 도전을 극복하기 위해 각 조직이 긴밀하게 협력하여 문제를 조기 발견했고 해결했기 때문"이라며 "DRAM PE 조직이 스크린 최적화를 진행하는 과정에서 설계 및 공정 조직과의 긴밀한 협업이 핵심적인 역할을 했다"고 강조했다.

SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

황효원 기자 woniii@mydaily.co.kr
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