삼성 반도체 기술 유출 前 삼성전자 임원, 첫 재판서 혐의 전면 부인

삼성전자 기술 빼돌려 1년6개월만 시범 생산 혐의

[마이데일리 = 황효원 기자] 삼성전자가 4조 원을 투입해 만든 반도체 기술을 부정 사용한 혐의를 받는 삼성전자·하이닉스 반도체 임원이 관련 혐의를 전면 부인했다.

서울중앙지법 형사합의24부(부장판사 최경서)는 13일 산업기술 보호법 위반, 부정경쟁 방지법 위반 등의 혐의를 받는 중국 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS) 대표 최모(67)씨와 공정설계실장 오모(61)씨 등의 1차 공판기일 진행을 진행했다.

최 씨의 변호인은 "삼성전자 기술 유출을 지시한 바 없고 이에 대해 보고받은 바도 없다"며 "기소된 기술은 공개된 정부 사이트에서 습득할 수 있는 정도의 정보"라고 주장했다. 보석 심문에서도 최 씨 측은 공소제기가 부당해 피고인의 신병을 구속해 재판을 진행할 이유가 없다며 보석의 필요성을 강조했다.

삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스)에서 부사장을 지낸 최씨는 삼성전자 개발실장 출신인 오모(61)씨와 함께 2019년 말 중국 지방정부로부터 4000억원 상당을 투자받아 청두가오전을 설립하고 삼성전자의 국가 핵심기술인 D램 공정 기술을 부정 사용해 20나노 D램을 개발한 혐의를 받는다.

이들은 삼성전자가 개발비 4조원을 투입해 개발한 국가 핵심기술을 빼돌려 D램 반도체 공정 기술을 1년 6개월 만에 개발함으로써 중국 내에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했다.

시범 웨이퍼는 적용한 기술이 실제 반도체로서 기능할 수 있는지 측정하는 기초 개발제품으로 글로벌 반도체 회사들도 개발에 통상 4~5년이 소요되는 핵심기술로 알려졌다.

황효원 기자 woniii@mydaily.co.kr
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