이규제 SK하이닉스 부사장 "HBM 1등 비결은 패키징…하이브리드 본딩 기술 개발 주력"

SK하이닉스, 이규제 부사장 인터뷰 공개
어드밴스드 MR-MUF 고도화 및 하이브리드 본딩 기술 개발 주력
차세대 패키지 기술로 HBM 리더십 지킨다

[마이데일리 = 황효원 기자] 고대역폭메모리(HBM) 시장을 선도하고 있는 SK하이닉스가 차세대 패키징 기술을 통해 1등을 이어가겠다는 포부를 밝혔다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 5일 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 고객이 원하는 시기에 제품을 제공했기 때문"이라며 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이라고 전했다.

이 부사장이 언급한 '어드밴스드 MR-MUF' 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 것이다. 경쟁 업체의 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식(NCF) 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다.

이 부사장은 "HBM3 12단 제품부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"며 "특히 기존 MR-MUF 방식으로는 HBM3 12단 제품의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상을 다루기 쉽지 않았다"고 말했다.

SK하이닉스는 이러한 한계를 극복하기 위해 존 MR-MUF 기술보다 한층 개선된 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다. 어드밴스드 MR-MUF를 통해 기존 칩보다 40% 얇은 칩을 휘어지는 현상 없이 적층할 수 있었고, 신규 보호재로 방열 특성까지 강화했다. SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF를 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했고 올 3월 세계 최고 성능의 HBM3E 양산을 시작했다.

SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용한 HBM4 12단 제품을 내년 하반기에 출하하고, 오는 2026년 수요 발생 시점에 맞춰 HBM4 16단 제품 출시를 준비한다는 방침이다.

이 부사장은 "이 기술은 하반기부터 AI 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있으며 활용 범위가 더 넓어져 SK하이닉스의 HBM 1등 기술력을 더 공고히 하는 데 힘이 돼 줄 것"이라고 강조했다.

SK하이닉스는 내년 하반기 양산 예정인 차세대 HBM인 'HBM4'도 회사가 강점을 가진 어드밴스드 MR-MUF와 차세대 '하이브리드 본딩' 방식을 모두 검토 중이다.

이 부사장은 "얼마 전 MR-MUF가 고단 적층은 구현하기 어렵다는 소문이 업계에 돌았던 적이 있지만, 우리는 MR-MUF가 고단 적층에도 최적의 기술이라는 사실을 고객과 소통하는 데 힘을 쏟았다"면서 "이는 고객의 신뢰를 재확인하는 계기가 됐다"고 덧붙였다.

황효원 기자 woniii@mydaily.co.kr
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