SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 첫 양산…내년 상반기 공급

업계 최초 321단 1Tb TLC 낸드 개발
3-플러그 공정 도입해 적층 한계 돌파
AI서버용 고성능·고용량 낸드 수요 확대
SK하닉 "풀스택 AI 메모리 프로바이더로 도약"

[마이데일리 = 황효원 기자] SK하이닉스는 세계 최고층인 321단 1테라비트(Tb) 트리플 레벨 셀(TLC) 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 발표했다.

SK하이닉스는 "지난해 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해 왔고 이번에 300단을 넘어서는 낸드도 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"며 "내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것"이라고 전했다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 '3-플러그'(Plug) 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 플러그는 여러 층의 기판을 쌓은 뒤 셀을 한 번에 형성하기 위해 내는 수직 구멍을 말한다. 3-플러그 공정 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다.

이 과정에서 저변형 소재를 개발하고 플러그 간 자동 정렬 보정 기술을 적용했다. 이와 함께 회사 기술진은 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다.

이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도가 12%, 읽기 성능이 13% 향상됐다. 또 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI)향 저전력 고성능 신규 시장에도 적극 대응해 활용 범위를 점차 넓혀갈 계획이다.

최정달 SK하이닉스 낸드 개발 담당 부사장은 "300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다"며 "이를 통해 당사 고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 풀스택 AI 메모리 프로바이더로 도약할 것"이라고 말했다.

황효원 기자 woniii@mydaily.co.kr
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