SK하이닉스, 4분기 영업익 8조 넘었다…"HBM4 16단 내년 하반기 공급"(종합)

[컨콜] 창사이래 최대매출·영업이익 SK하이닉스
"HBM, D램 매출 40% 이상"
"中 DDR5 D램 품질·성능에서 격차 크다"
"HBM 신화 계속된다…전년 대비 100% 이상 성장 예상"

[마이데일리 = 황효원 기자] SK하이닉스가 지난해 4분기 고대역폭 메모리(HBM) 판매 확대에 힘입어 역대 분기 최대 실적을 기록했다. SK하이닉스는 6세대 HBM인 HBM4 12단 제품을 올해 양산 준비를 마치는 것에 이어 차세대 제품인 HBM4 16단 또한 내년 하반기 납품을 목표로 개발하고 있다.

SK하이닉스는 지난해 4분기 실적으로 매출 19조7670억원, 영업이익 8조828억원을 냈다고 23일 공시했다. 지난해 3분기와 견줘 매출과 영업이익이 각각 12%, 15% 증가했다. 지난해 전체 매출은 66조1930억원, 영업이익은 23조4673억원을 기록했다. 매출과 영업이익 모두 창사 이래 최대 실적이다. 4분기 매출과 영업이익 역시 분기 기준 역대 최고 기록이다.

SK하이닉스는 이날 2024년 4분기 실적설명회를 통해 "일부 고객과 2026년 고대역폭메모리(HBM) 공급 물량에 대한 논의를 이미 시작했다"며 "상반기에 내년 생산 물량 대부분이 가시적으로 확보될 것"이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 "4분기에도 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고 기업용 SSD 판매도 지속 확대했다"며 "차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다"고 설명했다.

SK하이닉스는 "1c나노미터(㎚) 공정으로 생산하는 D램 제품은 이미 양산 목표 수율을 상회하고 있어 올해 하반기 양산을 시작하면 유의미한 원가절감이 가능할 것"이라며 "1c나노 공정을 향후 고대역폭메모리 신제품 'HBM4E'에 적용할 것"이라고 전했다. 이어 "1c나노 공정이 지난해 하반기 개발을 완료했고 양산성도 확보했다"며 "1c나노 기반 DDR5는 최대 속도가 9.2기가 BPS로 기존 제품보다 28%가량 향상됐고 전력 효율도 9% 이상 개선됐다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 "다만 주요 업체들이 적용한 D램 선단 공정과 중국 기업의 공정은 상당한 차이가 있고 DDR5 품질과 성능은 확실한 차이가 존재할 것"이라며 "중국 기업은 선단 공정 개발 과정에서 더 많은 불확실성에 직면하게 될 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 HBM 성장세가 올해도 이어질 것으로 전망하고 있다. 김우연 CFO(최고재무책임자)는 실적발표 콘퍼런스 콜에서 "올해 HBM 매출은 강한 고객 수요를 기반으로 전년 대비 100% 이상 성장할 것으로 예상된다"며 "2026년 주력 제품인 HBM4는 이미 1b 나노 공정 기반으로 개발을 진행 중이고 올 하반기 양산 준비를 마무리하고 공급하는 것을 목표로 삼고 있다"고 말했다. 그는 "1c 나노 공정을 향후 HBM4E에 적용할 계획"이라며 "1c 공정 제품은 이미 개발 단계에서 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있어 앞으로 양산 확대시 유의미한 원가절감이 가능할 것으로 본다"고 말했다.

황효원 기자 woniii@mydaily.co.kr
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