산업
[마이데일리 = 이재훈 기자] 삼성전자 반도체 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 임원과 수석연구원이 구속됐다.
서울경찰청 산업기술안보수사대는 6일 삼성전자와 하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 A(66) 씨와 전직 삼성전자 수석연구원 B(60) 씨를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 구속했다고 밝혔다.
이들은 삼성전자가 2014년 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 청두가오전 기업의 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다.
이들은 중국 청두시에서 투자받아 2021년 청두가오전을 설립하거나 임원을 지냈다.
이재훈 기자 yes@mydaily.co.kr
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